2SK1982 时间：2025/8/9 14:05:19 阅读：14

2SK1982 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和开关电源等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高耐压特性，适用于中高功率的电子系统设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：190A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(Idm)：760A
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：TO-247

特性

2SK1982 的主要优势在于其出色的导通性能和高电流处理能力，使其在高功率密度应用中表现出色。其低导通电阻Rds(on)显著减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备快速开关特性，适合高频应用，减少了开关损耗并提高了响应速度。
　　在热管理方面，2SK1982采用了优化的封装设计，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。其高栅极绝缘能力（±20V Vgs）也增强了器件的可靠性和抗干扰能力，适用于各种严苛的工业环境。
　　这款MOSFET还具有优异的雪崩击穿耐受能力，使其在异常工作条件下仍能保持稳定。这种特性对于保护电路免受瞬态电压冲击至关重要，从而延长了设备的使用寿命并提高了系统安全性。

应用

2SK1982 常用于高功率电源转换设备，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、逆变器以及工业自动化系统中的功率开关。由于其高电流和低导通电阻特性，它也广泛应用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及电动车辆（EV）的电力电子系统中。此外，它还可用于音频放大器的电源部分、LED照明驱动电路以及各类高效率开关电源（SMPS）的设计。