时间：2025/6/5 21:36:02
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AON6262E是由Alpha and Omega Semiconductor（万代半导体）推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，旨在提供高效率和低导通电阻的性能，适合于多种开关应用。其封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在紧凑设计中使用。
AON6262E的主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性，非常适合用于消费类电子、通信设备和工业控制等领域。
型号：AON6262E
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：140mΩ（@ VGS=4.5V）
IDS（连续漏电流）：2.9A
VGS（栅源极电压）：±20V
功耗：0.4W
封装：SOT-23
工作温度范围：-55℃ to +150℃
AON6262E是一款高性能的N沟道MOSFET，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够有效降低功率损耗并提升整体系统效率。
2. 快速开关速度，确保在高频应用中的卓越表现。
3. 小巧的SOT-23封装，适用于空间受限的设计场景。
4. 较宽的工作温度范围，可满足严苛环境下的应用需求。
5. 高可靠性与稳定性，保证长期运行的耐用性。
这些特性使AON6262E成为众多便携式设备、电池管理系统、负载开关以及其他低功率应用的理想选择。
AON6262E广泛应用于各种电子电路中，包括但不限于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理模块。
2. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源分配网络。
3. 电池保护电路及充电管理方案。
4. 工业自动化设备中的信号切换和小型电机驱动。
5. LED照明驱动电路中的开关元件。
由于其低导通电阻和小尺寸的优势，AON6262E特别适合需要高效能和节省空间的应用场景。
AON6208A
AON6212A
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