型号：2SK1982-01
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：4A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　最大功耗（Pd）：1W
　　导通电阻Rds(on)：25mΩ（Vgs=10V时）
　　输入电容（Ciss）：450pF（Vds=15V, Vgs=0V）
　　输出电容（Coss）：120pF（Vds=15V, Vgs=0V）
　　反向传输电容（Crss）：45pF（Vds=15V, Vgs=0V）
　　开启延迟时间（td(on)）：12ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

2SK1982-01具备多项优异的电气与结构特性，使其在同类功率MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻Rds(on)仅为25mΩ，在Vgs=10V条件下可显著降低导通状态下的功率损耗，提升电源系统的整体效率，尤其适用于大电流输出的应用场景。
　　其次，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这有助于减少开关过程中的驱动损耗，并加快开关速度，从而支持更高频率的PWM控制，适用于现代高频开关电源设计。
　　再者，2SK1982-01采用了高可靠性的硅基工艺与封装技术，确保在高温、高湿及高负载环境下仍能稳定运行。其额定工作结温可达+150°C，表明其具有出色的热稳定性，适合在恶劣环境或密闭空间中长期使用。
　　此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，能够在突发电压冲击或异常工作条件下维持器件完整性，防止因瞬态过压导致的永久性损坏。
　　最后，由于其小型化表面贴装封装（如SOT-23），2SK1982-01非常适合用于空间受限的便携式电子产品中，不仅节省PCB面积，还能通过优化布线减少寄生电感，进一步提升高频性能。综合来看，这些特性使得2SK1982-01成为高性能、高效率电源管理系统中的理想选择。

2SK1982-01主要应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。其典型应用场景包括但不限于：便携式消费类电子产品中的同步整流DC-DC降压或升压转换器，用于电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理单元；在LED驱动电路中作为恒流控制开关，提供稳定的电流输出并减少发热；在电机驱动模块中用于控制小型直流电机或步进电机的启停与调速，凭借其快速开关响应和低导通损耗实现高效能控制。
　　此外，该器件也常用于热插拔电路和负载开关设计中，利用其低Rds(on)和快速响应能力来限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。
　　在工业控制领域，2SK1982-01可用于传感器供电开关、继电器驱动接口以及PLC输入/输出模块中的固态开关元件。
　　由于其具备良好的高频特性，该MOSFET还可应用于射频功率放大器的偏置控制、无线充电发射端的谐振开关电路以及小型逆变器中的H桥或推挽拓扑结构。
　　在汽车电子方面，尽管其电压等级相对较低，但仍可用于车载信息娱乐系统、车内照明控制或辅助电源模块等低压直流系统中。
　　总之，2SK1982-01凭借其高效率、小尺寸和高可靠性，广泛服务于消费电子、通信设备、工业自动化和汽车电子等多个领域。

2SK3018-01
　　SI2302DS
　　AO3400
　　FDN302P