LDTC143EET1G 时间：2025/8/14 1:36:39 阅读：21

LDTC143EET1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管（BJT），主要用于通用开关和放大应用。该晶体管采用 SOT-23 小型表面贴装封装，适合在需要紧凑设计和高性能的电子电路中使用。LDTC143EET1G 的设计提供了良好的电流增益和较低的饱和电压，使其在各种模拟和数字电路中具有较高的效率和可靠性。

参数

晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23

特性

LDTC143EET1G 拥有出色的电流增益特性，能够在不同的工作条件下保持稳定的放大性能。该晶体管的 hFE 值在不同的集电极电流和电压条件下可变，通常在 110 至 800 之间，适用于各种放大和开关应用。此外，其最大工作频率为 100MHz，使其在高频电路中也能表现良好。晶体管的低饱和电压（Vce_sat）确保了在开关应用中能量损耗较小，提高了整体效率。
　　LDTC143EET1G 还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适合在多种环境条件下运行。其小型 SOT-23 封装不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 设计中使用。晶体管的最大功耗为 300mW，能够在有限的散热条件下工作，而不会显著影响性能。此外，其集电极-发射极击穿电压为 30V，允许在中等电压范围内安全操作。

应用

LDTC143EET1G 主要用于各种通用电子电路中的开关和放大应用。例如，在数字电路中，它可以用作逻辑门的驱动器或继电器控制开关，以实现高效的信号传输和控制。在模拟电路中，该晶体管可以用于音频放大器、传感器信号放大器和电压调节器等应用场景。此外，由于其高频特性，LDTC143EET1G 也适用于射频（RF）电路和数据通信设备中的信号处理和放大任务。
　　在嵌入式系统和微控制器应用中，LDTC143EET1G 可用于驱动 LED、小型电机和其他负载，提供可靠的电流放大和控制功能。在电源管理电路中，它可以用于实现简单的稳压电路或电流镜电路，以满足特定的电压和电流需求。此外，由于其小型封装，LDTC143EET1G 非常适合在便携式电子设备和高密度 PCB 设计中使用。