2SK1940 时间：2025/8/9 20:05:27 阅读：33

2SK1940是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司生产，广泛应用于高功率和高频率的开关电路中。这款晶体管以其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性而著称，适用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和LED驱动等多种电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　最大漏源电压（VDS）：250V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（最大）
　　功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2SK1940具有多项优异的电气特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其漏源电压（VDS）高达250V，能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电路。其次，该MOSFET的导通电阻较低，最大仅为0.18Ω，这意味着在导通状态下产生的功率损耗较小，从而提高了整体系统的效率。
　　此外，2SK1940具有良好的热稳定性和高功耗能力，额定功耗为40W，适合在高温环境下运行。其TO-220封装形式不仅便于安装，而且有助于热量的快速散发，提高了器件的可靠性。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，使得其在不同驱动电路中具有良好的兼容性。
　　在开关性能方面，2SK1940表现出快速的开关速度，能够适应高频应用的需求，减少开关损耗，提高系统响应速度。这使得它在DC-DC转换器、PWM控制和电机驱动等领域具有广泛的应用前景。同时，该器件具备良好的抗过载能力，能够在短时间内承受超过额定值的电流，增强了系统的稳定性。

应用

2SK1940主要用于需要高电压和高电流能力的功率电子设备中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、LED驱动器、逆变器以及各种功率放大器电路。由于其高可靠性和优良的导通特性，它也常用于工业自动化控制系统、电动汽车充电设备以及太阳能逆变器等高要求的电力电子系统中。