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RF15N0R4B500CT 发布时间 时间:2025/7/4 20:33:05 查看 阅读:8

RF15N0R4B500CT 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET),适用于高频、高功率射频应用。该器件采用先进的 GaN 技术,具有卓越的开关性能和低导通电阻特性。它专为满足通信系统、雷达以及工业应用中的高效能量转换需求而设计。
  该芯片封装形式为行业标准的表面贴装类型,有助于简化制造工艺并提高可靠性。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:150nC
  输入电容:800pF
  输出电容:300pF
  反向传输电容:200pF
  热阻:0.3°C/W

特性

RF15N0R4B500CT 具备以下显著特性:
  1. 高效能量转换能力,得益于其低导通电阻和快速开关速度。
  2. 支持高频工作环境,适合于各种射频功率放大器设计。
  3. 热性能优异,通过优化的散热结构降低结温提升系统稳定性。
  4. 可靠性经过验证,在极端条件下仍能保持稳定运行。
  5. 封装紧凑,方便集成到空间受限的应用场景中。
  6. 提供出色的电气隔离,确保系统的安全性和抗干扰能力。

应用

这款芯片广泛应用于以下领域:
  1. 无线通信基础设施,例如基站功率放大器。
  2. 雷达系统中的高功率发射模块。
  3. 医疗设备如超声波发生器。
  4. 工业加热和等离子体生成设备。
  5. 卫星通信和广播系统中的功率放大器组件。

替代型号

RF15N0R4B500CS, RF15N0R4B500DT

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RF15N0R4B500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.10960卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.4 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-