时间：2025/7/4 20:33:05
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RF15N0R4B500CT 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)，适用于高频、高功率射频应用。该器件采用先进的 GaN 技术，具有卓越的开关性能和低导通电阻特性。它专为满足通信系统、雷达以及工业应用中的高效能量转换需求而设计。
该芯片封装形式为行业标准的表面贴装类型，有助于简化制造工艺并提高可靠性。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：40A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：150nC
输入电容：800pF
输出电容：300pF
反向传输电容：200pF
热阻：0.3°C/W
RF15N0R4B500CT 具备以下显著特性：
1. 高效能量转换能力，得益于其低导通电阻和快速开关速度。
2. 支持高频工作环境，适合于各种射频功率放大器设计。
3. 热性能优异，通过优化的散热结构降低结温提升系统稳定性。
4. 可靠性经过验证，在极端条件下仍能保持稳定运行。
5. 封装紧凑，方便集成到空间受限的应用场景中。
6. 提供出色的电气隔离，确保系统的安全性和抗干扰能力。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基础设施，例如基站功率放大器。
2. 雷达系统中的高功率发射模块。
3. 医疗设备如超声波发生器。
4. 工业加热和等离子体生成设备。
5. 卫星通信和广播系统中的功率放大器组件。
RF15N0R4B500CS, RF15N0R4B500DT
