型号：2SK1935
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（max @ VGS=10V, ID=3.5A）
　　阈值电压（Vth）：4.0V ~ 6.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：380pF（@VDS=25V）
　　反向传输电容（Crss）：60pF（@VDS=25V）
　　栅极电荷（Qg）：35nC（@VGS=10V）
　　功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

2SK1935具备出色的电气特性和热稳定性，能够适应多种严苛的工作环境。首先，其高漏源击穿电压（500V）确保了在高压应用场景下的安全与可靠性，尤其适用于离线式开关电源设计，在交流输入电压经过整流后产生的高压直流环境下仍可稳定工作。其次，该器件的低导通电阻（典型值低于0.55Ω）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体电源效率，减少了散热需求，有助于简化热管理设计。
　　另一个关键特性是其良好的开关性能。得益于较低的输入电容和栅极电荷，2SK1935可以实现快速的开关响应，适用于高频PWM控制电路。这使得它在DC-DC变换器和逆变器等需要高频率操作的应用中表现出色。同时，较小的反向传输电容（Crss）有助于降低米勒效应的影响，从而减少误触发的风险，增强电路稳定性。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下承受一定的能量冲击，提升了系统鲁棒性。此外，其阈值电压范围适中（4.0V~6.0V），兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与常见的PWM控制器直接接口。TO-220封装提供了优良的散热性能，允许在较高环境温度下持续运行，同时也便于安装在散热片上以进一步提升功率处理能力。综合来看，2SK1935是一款性能均衡、可靠性高的功率MOSFET，适合用于对效率和稳定性有较高要求的电源系统设计。

2SK1935广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高电压和高效能转换的场合。常见应用包括彩色电视机和显示器的主电源电路，作为PWM控制器驱动的主开关元件，负责将整流后的高压直流电转换为稳定的低压输出。此外，它也常用于AC-DC适配器、充电器、LED照明驱动电源等消费类电子产品中，提供高效的能量转换解决方案。
　　在工业控制领域，2SK1935可用于小型电机驱动电路、继电器驱动模块以及DC-DC升压或降压转换器中，发挥其快速开关和低损耗的优势。由于其具备较高的电流承载能力和耐压水平，也可作为逆变器中的开关元件，用于太阳能微逆变器或不间断电源（UPS）系统中。
　　另外，该器件适用于各种离线式反激（Flyback）和正激（Forward）拓扑电源设计，配合UC3842、TL494等经典PWM控制芯片使用，构建高性能的隔离型电源方案。其内置的快速恢复体二极管还能有效抑制反向电流，减少外部续流二极管的使用，从而降低系统成本和复杂度。总体而言，2SK1935凭借其高耐压、低导通电阻和良好热性能，成为众多电源工程师在设计50W至200W功率等级电源时的优选器件之一。

2SK2542, 2SK2640, 2SK2837, FQP50N50, IRFBC40