型号：FQPF11N65
　　制造商：ON Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：11A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：44A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻Rds(on)：典型值0.75Ω，最大值0.95Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值58nC
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF
　　输出电容（Coss）：典型值170pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值65ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

FQPF11N65采用了安森美先进的SuperFET技术，这是一种基于平面工艺的创新技术，结合了电荷平衡原理与优化的元胞结构设计，显著提升了器件的电压阻断能力和导通性能。这种技术使得MOSFET在保持高击穿电压的同时，实现了更低的导通电阻Rds(on)，从而有效降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。特别地，在650V额定电压等级下，FQPF11N65的Rds(on)仅为0.95Ω最大值，这一指标在同类产品中表现出色，尤其适用于追求小型化与高效能的现代电源设计。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这直接减少了开关过程中的驱动能量需求和开关损耗，使其非常适合用于高频开关应用如LLC谐振转换器、PFC电路和反激式电源等。此外，其快速的开关速度配合优化的体二极管反向恢复特性，可有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。TO-220F封装不仅提供了良好的电气隔离性能（引脚对散热片绝缘），还便于安装在散热器上，满足大功率应用场景下的散热需求。FQPF11N65还具备出色的抗雪崩能力和 dv/dt 耐受性，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持可靠运行，增强了整个系统的鲁棒性。
　　在可靠性方面，该器件经过严格的质量控制流程生产，并通过AEC-Q101认证的部分测试项目，适用于工业级甚至部分汽车电子辅助电源系统。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保在高温环境中仍能维持稳定的电气性能。综合来看，FQPF11N65凭借其高性能参数、稳健的设计和成熟的制造工艺，成为中高功率开关电源设计中值得信赖的核心元件之一。

FQPF11N65主要应用于各类需要高电压、高效率开关性能的电力电子系统中。一个典型的应用场景是离线式开关电源（Off-line SMPS），特别是在AC-DC转换器中作为主开关管使用。由于其650V的高耐压能力，可以在全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下安全工作，适用于适配器、充电器、电视电源和PC电源等消费类电子产品。此外，在功率因数校正（PFC）升压电路中，FQPF11N65也能发挥其低导通电阻和快速开关的优势，帮助实现更高的功率因数和更低的总谐波失真（THD），满足能源之星等能效标准要求。
　　在工业领域，该器件常用于电机驱动电路、逆变器和UPS不间断电源系统中，作为DC-DC变换器或逆变桥臂的开关元件。其良好的热稳定性和抗冲击能力使其能够在恶劣的工业环境下长期运行。同时，在电子照明系统中，尤其是高压HID灯或荧光灯镇流器中，FQPF11N65可用于高频逆变电路，实现高效的能量转换与调光控制。另外，由于其TO-220F封装具备电气绝缘特性，非常适合用于需要将散热外壳接地的安全隔离设计中，避免了额外绝缘垫片的需求，简化了装配流程并提高了散热效率。总之，FQPF11N65凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，广泛服务于通信电源、工业自动化、新能源设备等多种中高端电源系统平台。

STP11NM65N
　　FDPF11N65S