时间：2025/8/9 13:24:45
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2SK1881-S 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率开关性能的场合。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻和优异的开关特性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大32mΩ（在VGS=10V时）
封装类型：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C至150°C
2SK1881-S MOSFET具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。其次，该器件的高电流承载能力（20A）使其能够胜任大功率应用场景，例如电源转换和电机控制。此外，2SK1881-S具备较高的耐压能力（100V VDS），能够在较宽的电压范围内稳定运行，提高了系统的可靠性和适用性。
该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热管理和散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度。同时，其±20V的栅源电压耐受能力确保了在不同驱动条件下的安全运行，减少了栅极击穿的风险。该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种工业环境下的高温或低温操作条件。
2SK1881-S MOSFET适用于多种高功率和高效率的电子系统。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及各种工业控制设备。在电源管理领域，该器件能够有效提升系统的能效，降低发热损耗，延长设备使用寿命。在电机控制和负载管理应用中，2SK1881-S的高电流能力和快速响应特性可确保系统运行的稳定性和安全性。此外，由于其良好的热性能和宽温度范围，该器件也适合在汽车电子、工业自动化和通信设备中使用。
SiHF30N100E, FDPF30N100ES, IRFZ44N
