2N837A 是一款NPN型高频晶体管,常用于射频(RF)和高频放大器应用中。该晶体管采用TO-3金属封装,具备良好的热稳定性和高频性能,适合用于高频信号放大、振荡器和射频电路设计。该晶体管在20世纪中期广泛使用,适用于需要高频响应的电子设备中。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):15V
最大集电极-基极电压(Vcb):20V
最大功耗(Ptot):300mW
最大工作频率(fT):100MHz
封装类型:TO-3金属封装
增益(hFE):50-150(具体数值因批次而异)
2N837A 晶体管具有良好的高频响应特性,适合用于100MHz范围内的射频放大应用。其TO-3封装设计有助于有效散热,提高了器件在高频工作时的稳定性。
此外,该晶体管的低噪声系数和较高的增益带宽积使其在射频前端放大器设计中表现出色。其NPN结构使其在正电源供电系统中易于使用,并且能够提供较高的电流增益,适用于小信号放大电路。
虽然2N837A 已被现代高频晶体管所取代,但在某些复古电子设备和特定高频应用中,它仍然具有一定的使用价值和参考意义。
2N837A 主要用于射频放大器、高频振荡器、调制解调器以及早期的通信设备中。其高频性能使其成为UHF(超高频)段应用的理想选择,同时也可用于音频前置放大器和其他需要高频响应的电路设计中。
2N3904, BF199, 2N2222