2SK1861 时间：2025/8/7 14:08:51 阅读：31

2SK1861是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝公司生产。该器件主要用于高频率开关应用，例如在DC-DC转换器、电源管理和电池供电设备中广泛使用。其设计优化了高频特性，同时具备较低的导通电阻，有助于提高系统效率并减少能量损耗。2SK1861采用小型封装，适合空间受限的高密度电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：300mA（最大）
　　最大漏极-源极电压：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.5Ω（典型值）
　　栅极阈值电压：0.6V至1.5V
　　最大功耗：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2SK1861的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗，提高电路效率。其低栅极阈值电压使其能够在低压控制电路中轻松驱动，适用于便携式电子设备的电源管理应用。此外，该MOSFET具有较高的开关速度，适合高频操作，从而减小外部滤波元件的尺寸和成本。器件还具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。
　　在可靠性方面，2SK1861具有较强的抗静电能力，并符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。此外，其低漏电流特性在关闭状态下可有效减少待机功耗，适用于节能型电源系统。

应用

2SK1861常用于便携式电子设备中的电源开关、负载控制和DC-DC转换器电路。典型应用包括手机、平板电脑、数码相机和其他低功耗系统的电源管理模块。此外，它也可用于信号开关电路、逻辑控制电路以及小型DC马达的驱动控制。由于其高频响应能力，2SK1861也适用于RFID读写器、无线传感器网络等射频前端电路中的开关控制。