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GN1157BINTE3Z 发布时间 时间:2025/8/5 14:22:15 查看 阅读:27

GN1157BINTE3Z是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的电压基准芯片,属于并联型电压基准(Shunt Voltage Reference)类别。该器件以其高精度、低温漂和稳定性强的特点广泛应用于需要稳定参考电压的电路中,如电源管理、电池充电器、测试设备和工业控制系统等。GN1157BINTE3Z采用TO-220封装形式,具备良好的热稳定性和负载调节能力,能够在较宽的工作温度范围内提供精确的基准电压。

参数

基准电压:2.5 V(典型值)
  初始精度:±0.5%
  温度系数:100 ppm/℃(最大值)
  工作电流范围:1 mA 至 100 mA
  最大功耗:1 W
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:TO-220

特性

GN1157BINTE3Z具备多项优良特性,使其在众多电压基准应用中表现出色。首先,其基准电压为2.5 V,具有±0.5%的高初始精度,确保在初始状态下提供稳定可靠的参考电压。该器件的温度系数最大为100 ppm/°C,这意味着在温度变化的环境下,其输出电压的漂移极小,适用于高精度测量和控制系统。
  该电压基准的工作电流范围为1 mA至100 mA,具备良好的负载调节能力,适用于多种电流需求的应用场景。由于其并联型结构,GN1157BINTE3Z可以通过外部电阻调整工作电流,从而优化系统性能和功耗。
  此外,该器件采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适合在高功耗或高温环境下使用。其工作温度范围为-40°C至+125°C,符合工业级标准,适用于严苛环境下的电子设备。GN1157BINTE3Z的高可靠性和稳定性,使其成为精密电源管理、模拟信号链、数据采集系统等应用中的理想选择。

应用

GN1157BINTE3Z广泛应用于需要高精度参考电压的电子系统中。其典型应用包括但不限于:精密电源管理系统中的基准电压源、电池充电器中的电压监控电路、工业自动化控制系统中的传感器信号调理电路、测试与测量设备中的高精度A/D和D/A转换器参考源,以及各类需要稳定电压参考的模拟电路设计。
  由于其并联型结构和宽工作电流范围,GN1157BINTE3Z特别适用于需要灵活调节参考电压的场合。例如,在电池供电设备中,它可作为高稳定度的电压基准,以确保系统在电池电压下降时仍能保持精确的测量和控制功能。此外,在高精度数据采集系统中,该器件可为模数转换器(ADC)或数模转换器(DAC)提供稳定的参考电压,从而提高测量和控制的准确性。
  在电源管理应用中,GN1157BINTE3Z可用于构建高精度的电压监控和调节电路,确保电源输出的稳定性。其良好的温度特性和负载调节能力也使其在工业控制系统中广泛用于传感器信号处理、仪表放大器参考源等关键环节。

替代型号

TL431ACLP, LM4040C25QDCKR, LMV431AIM5X-2.5/NOPB

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