时间：2025/7/23 6:00:50
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MDF7N65BTH 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高功率应用。这款 MOSFET 的设计适用于开关电源、DC-DC 转换器、照明设备以及其他需要高耐压和低导通电阻的电子系统。
类型：N 沟道
最大漏极电流（ID）：7A
最大漏源电压（VDS）：650V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
MDF7N65BTH 的主要特性之一是其高电压承受能力，能够支持高达 650V 的漏源电压（VDS），使其适用于高功率环境。此外，该器件的导通电阻较低，最大值为 1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。这种 MOSFET 还具有较高的栅极阈值电压稳定性，确保在复杂的工作环境中具备良好的开关性能。
在热性能方面，MDF7N65BTH 采用 TO-220 封装，具有良好的散热能力，可以在较高的功率条件下稳定运行。此外，该器件的封装设计便于安装在标准的 PCB 板上，并兼容多种焊接工艺。MDF7N65BTH 的工作温度范围较宽，从 -55°C 到 150°C，确保在极端温度条件下也能可靠运行。这使其适用于各种工业级和消费级电源管理系统。
MDF7N65BTH 主要应用于开关电源（SMPS）、LED 照明驱动器、DC-DC 转换器、电机控制器、电池充电器以及家用电器中的功率控制电路。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件非常适合用于需要高效率和稳定性的电源转换系统。此外，它也常用于工业自动化设备中的功率开关，以及 UPS（不间断电源）系统中的关键电源管理部分。在 LED 照明应用中，MDF7N65BTH 可以作为恒流驱动电路的主要开关元件，提供稳定的亮度控制和高效的能量转换。同时，它也适用于 AC-DC 转换器中的初级侧开关，以提高整体电源转换效率。
SGT7N60SD、FQP7N60、IRF7N60C3、MDT7N65B、MDF8N65B
