2SK1772是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效能功率转换的电子设备中。该器件由东芝(Toshiba)生产,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。2SK1772具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点,适合在高效率和高可靠性要求的应用中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):约0.32Ω(典型值)
功耗(Pd):30W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
2SK1772具有多项优异的电气和物理特性,使其在功率MOSFET市场中占据一席之地。首先,其低导通电阻(Rds(on))可以显著降低导通损耗,提高系统效率。这对于电源转换器和负载开关等应用至关重要。
其次,2SK1772支持高达100V的漏源电压(Vds),使其适用于多种高压应用。同时,±20V的栅源电压(Vgs)确保了栅极控制的稳定性,避免因过压而损坏器件。
此外,该MOSFET的最大连续漏极电流可达6A,能够满足中高功率应用的电流需求。结合其30W的最大功耗能力,2SK1772能够在较高的工作负载下保持稳定运行。
在封装方面,2SK1772采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,适合在高功率密度环境中使用。TO-220封装也便于安装和焊接,广泛应用于各种电路板设计中。
最后,2SK1772的工作温度范围为-55°C至150°C,具有良好的温度适应性,适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
2SK1772因其优异的电气特性和高可靠性,被广泛应用于多个领域。在电源管理方面,该器件可用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块以及电池管理系统,以实现高效的能量转换。
在电机控制应用中,2SK1772可作为H桥电路中的开关元件,用于驱动直流电机或步进电机,提供稳定的电流控制和较高的效率。
此外,该MOSFET也适用于负载开关设计,例如用于控制LED照明、风扇、加热元件等外部负载的开启和关闭。由于其低导通电阻,可以有效减少能量损耗,提高系统能效。
在工业自动化和控制系统中,2SK1772常用于PLC(可编程逻辑控制器)输出模块、继电器替代电路以及各种功率开关电路。
由于其良好的温度特性和封装散热能力,2SK1772也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载娱乐系统的电源管理模块。
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