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GA1210A182KXBAT31G 发布时间 时间:2025/5/21 23:18:23 查看 阅读:3

GA1210A182KXBAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,专为无线通信系统中的射频信号放大设计。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、低噪声和良好的线性度特性,适用于蜂窝基站、中继站以及其他射频通信设备。
  这款芯片能够满足现代通信系统对高频段和大功率输出的需求,并通过优化的设计减少了对外部元件的依赖,从而简化了整体电路设计。

参数

型号82KXBAT31G
  工作频率范围:1710 MHz 至 2170 MHz
  增益:18 dB(典型值)
  输出功率:35 dBm(典型值)
  效率:45%(典型值)
  电源电压:28 V
  静态电流:200 mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1210A182KXBAT31G 芯片具备以下主要特性:
  1. 高效的功率放大能力,适用于多种无线通信标准,如 GSM、WCDMA 和 LTE。
  2. 内置偏置控制电路,简化了外围电路设计并提高了系统的稳定性。
  3. 具有良好的热性能,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行。
  4. 提供优异的线性度表现,有效降低信号失真。
  5. 小尺寸封装,节省印刷电路板空间,同时便于焊接和组装。
  6. 支持多种匹配网络配置,方便用户根据实际需求进行灵活调整。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站及中继站中的射频功率放大模块。
  2. 移动通信测试设备中的信号源放大组件。
  3. 专用无线通信系统中的发射机功率放大单元。
  4. 微波链路系统中的功率放大级。
  5. 卫星通信地面站设备中的上变频功率放大部分。

替代型号

GA1210A182KXBAT32G, GA1210A182KXBAT33G

GA1210A182KXBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-