GA1210A182KXBAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,专为无线通信系统中的射频信号放大设计。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、低噪声和良好的线性度特性,适用于蜂窝基站、中继站以及其他射频通信设备。
这款芯片能够满足现代通信系统对高频段和大功率输出的需求,并通过优化的设计减少了对外部元件的依赖,从而简化了整体电路设计。
型号82KXBAT31G
工作频率范围:1710 MHz 至 2170 MHz
增益:18 dB(典型值)
输出功率:35 dBm(典型值)
效率:45%(典型值)
电源电压:28 V
静态电流:200 mA
封装形式:QFN-16
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
GA1210A182KXBAT31G 芯片具备以下主要特性:
1. 高效的功率放大能力,适用于多种无线通信标准,如 GSM、WCDMA 和 LTE。
2. 内置偏置控制电路,简化了外围电路设计并提高了系统的稳定性。
3. 具有良好的热性能,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行。
4. 提供优异的线性度表现,有效降低信号失真。
5. 小尺寸封装,节省印刷电路板空间,同时便于焊接和组装。
6. 支持多种匹配网络配置,方便用户根据实际需求进行灵活调整。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 蜂窝基站及中继站中的射频功率放大模块。
2. 移动通信测试设备中的信号源放大组件。
3. 专用无线通信系统中的发射机功率放大单元。
4. 微波链路系统中的功率放大级。
5. 卫星通信地面站设备中的上变频功率放大部分。
GA1210A182KXBAT32G, GA1210A182KXBAT33G