型号：2SK1702
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.4A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：17.6A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF（典型值，Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（典型值，Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（典型值，Vds=15V）
　　功耗（Pd）：1.25W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SK1702具备优异的导通特性和快速开关能力，这主要得益于其采用的先进沟槽型MOSFET工艺。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流通过时仍能保持较低的功率损耗，从而提升了整个系统的能效表现。例如，在Vgs=10V条件下，Rds(on)仅为30mΩ（最大值），这意味着即使在4A左右的持续电流下，其导通压降也低于120mV，显著降低了发热问题。这种低损耗特性使其非常适合用于电池供电设备中，以延长续航时间。
　　该器件还表现出良好的栅极电荷特性，总栅极电荷（Qg）较低，通常在10nC以下，使得驱动电路所需的驱动功率较小，有利于高频开关操作。同时，其输入电容和反向传输电容均处于合理范围内，有助于减少开关过程中的能量损失和电磁干扰（EMI）。这对于工作频率较高的DC-DC变换器尤为重要，能够有效提升转换效率并降低噪声水平。
　　2SK1702的阈值电压范围为1.0V至2.5V，属于标准逻辑兼容电平，可由常见的3.3V或5V微控制器GPIO口直接驱动，无需额外的电平转换或专用驱动芯片，简化了外围电路设计，降低了整体成本。此外，该MOSFET具有较强的抗静电能力（ESD）和热稳定性，内部结构优化以防止热失控现象的发生，在长时间运行或高温环境下依然保持可靠性能。
　　值得一提的是，该器件在封装上采用了SOT-23这种小型化表面贴装形式，不仅节省了宝贵的PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提高了组装效率。其散热设计也经过优化，虽然功率容量有限，但在适当的散热条件下（如敷铜面积足够），仍能满足多数中低功率应用的需求。综合来看，2SK1702是一款兼具高性能与实用性的N沟道MOSFET，适用于对尺寸、效率和成本都有较高要求的应用场合。

2SK1702广泛应用于各类中小功率电子系统中，尤其是在需要高效开关控制的场景下表现突出。常见用途包括但不限于：便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品的电池充放电控制电路；在此类应用中，它常被用作负载开关或背光驱动的控制元件，利用其低导通电阻和快速响应特性来实现高效的能量传递与精确控制。
　　在DC-DC升压或降压转换器中，2SK1702可作为同步整流开关使用，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率。尤其在轻载和中等负载条件下，其节能优势更为明显。此外，它也可用于LED驱动电路中，作为恒流源的开关元件，配合电感和反馈控制实现稳定的亮度调节功能。
　　工业控制领域中，2SK1702可用于驱动小型继电器、电磁阀或电机的H桥电路中的一臂，执行信号切换或方向控制任务。由于其具备一定的过流耐受能力和温度稳定性，能够在较恶劣的工作环境中长期稳定运行。
　　另外，在USB电源开关、热插拔控制器、电源多路复用器等电路中，2SK1702也因其响应速度快、静态功耗低而成为理想选择。总体而言，凡是需要实现低电压驱动、小体积、高效率开关控制的场合，2SK1702都能提供可靠的解决方案。

2SK3018
　　Si2302DDS
　　AO3400
　　FDS6679