工作输入电压范围：2.0V ~ 5.5V
　　输出电压精度：±1.0%（Ta=25°C）
　　固定输出电压：1.0V
　　最大输出电流：300mA
　　静态电流：典型值3.0μA
　　关断电流：≤0.1μA
　　电源抑制比（PSRR）：70dB @ 1kHz（典型值）
　　输出电压温度系数：±50ppm/°C（典型值）
　　负载调整率：±15mV（IOUT=1mA至300mA）
　　线性调整率：±30mV（VIN变化时）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：DFN(PLP)1515-6 (1.5×1.5×0.55mm)
　　引脚数：6
　　是否可调：否（固定输出）
　　是否带使能端：是（CE端控制）

R5323K010B-TR具备卓越的动态响应性能和高稳定性，这得益于其内部采用的高速误差放大器与优化的反馈环路设计。该LDO能够在负载电流快速变化时迅速调整输出电压，有效抑制电压波动，从而保证下游电路的稳定运行。其超低静态电流特性使其特别适用于电池供电的应用场景，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端，显著延长了设备的工作时间。该器件的高电源抑制比（PSRR）能够在高频段有效滤除来自输入电源的噪声，例如开关电源产生的纹波干扰，确保为敏感模拟或射频电路提供干净的电源轨。
　　R5323K010B-TR内置使能（CE）引脚，允许用户通过外部信号控制LDO的开启与关闭，实现系统的低功耗管理模式。当进入关断模式时，器件的电流消耗极低（小于0.1μA），进一步降低待机功耗。其采用的CMOS工艺不仅提升了能效，还增强了器件的抗噪声能力和长期可靠性。此外，该LDO无需使用外部补偿电容，简化了外围电路设计，仅需在输入和输出端各连接一个小型陶瓷电容器（通常为1.0μF）即可实现稳定工作，减少了整体BOM成本和PCB占用面积。
　　热关断和过电流保护机制为系统提供了双重安全保障。当输出短路或过载导致芯片温度过高时，热关断功能会自动切断输出，防止器件损坏；一旦温度下降至安全范围，LDO将自动恢复工作。这种自恢复特性提高了系统的鲁棒性和维护便利性。同时，其DFN小型封装不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适合高密度贴装工艺。R5323K010B-TR符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。

R5323K010B-TR适用于各种需要低噪声、低功耗和高稳定性的电源管理场合。常见应用包括移动通信设备中的基带或射频模块供电、便携式医疗仪器、智能手表与健身追踪器等可穿戴设备、无线传感器网络节点以及低功耗微控制器单元（MCU）的辅助电源轨。由于其输出电压为1.0V，正好匹配许多先进制程的数字IC核心电压需求，因此也广泛用于FPGA、DSP和SoC芯片的核心电源供应。此外，在需要多路电源排序或多电压层级的复杂系统中，该LDO可作为次级稳压器，用于将中间电压（如3.3V或2.5V）进一步降压至1.0V供特定模块使用。其优异的瞬态响应能力使其能够应对突发的电流变化，例如处理器从睡眠模式突然唤醒时的大电流冲击，避免电压跌落影响系统稳定性。在测试测量仪器和精密模拟前端电路中，该器件也能提供干净、稳定的偏置电压，减少电源噪声对信号链路的影响。

XC6223B10MR-G
　　XC6502V10MR-G
　　TPS7A0510DCKR
　　MCP1703T-1002E/TT