类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压 Vds：100V
　　最大栅极电压 Vgs：±20V
　　最大漏极电流 Id：连续150mA（脉冲1.5A）
　　导通电阻 Rds(on)：约5Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散 PD：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92 或 SOT-23（具体取决于制造商）

2SK170-BL(F) MOSFET具备多项优异的电气特性和物理特性。
　　首先，其低导通电阻Rds(on)可确保在导通状态下损耗较小，提高系统的整体效率。这一特性对于需要频繁切换或高能效的应用尤为重要。
　　其次，该器件具有较高的输入阻抗，使得栅极驱动所需的电流非常小，从而降低了控制电路的设计复杂度和功耗。
　　再者，该MOSFET具备较快的开关速度，能够在高频环境下稳定运行，适用于如PWM调制、开关电源等对响应时间要求高的场合。
　　此外，其良好的热稳定性保证了即使在高温环境下也能保持正常工作，提升了器件的可靠性和使用寿命。
　　最后，该器件采用了紧凑的封装设计，节省空间的同时便于安装与散热处理，适合各种便携式电子设备和嵌入式系统使用。

2SK170-BL(F) 广泛应用于多个领域。
　　在电源管理系统中，该MOSFET常用作负载开关或DC-DC转换器中的开关元件，实现高效能量转换。
　　在数字控制系统中，它可以作为功率级的开关器件，用于控制继电器、LED灯、电机等负载。
　　此外，在电池供电设备中，例如移动电话、平板电脑、智能穿戴设备等，2SK170-BL(F) 可用于电源管理和节能控制，以延长电池寿命。
　　在工业自动化系统中，该器件可用于传感器信号调节、马达驱动以及各种开关控制电路中。
　　由于其优良的开关特性和低功耗特性，该MOSFET也常见于音频放大器和射频电路中，作为信号路径的控制开关。

2SK2468, 2SK30ATM, 2N7000, BSS138