类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.8A
　　导通电阻 Rds(on)：最大值 18mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SuperSOT-6

1SD1548AI-UL 具有低导通电阻，使得在高频开关应用中能够显著降低导通损耗，从而提高电源转换效率。其 20V 的漏源电压使其适用于多种低压功率转换器应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等。此外，该器件采用 SuperSOT-6 封装，具有良好的热性能和空间节省设计，非常适合高密度电路板布局。ROHM 的制造工艺确保了该器件在高温环境下仍能保持稳定工作。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±12V，推荐工作电压为 10V，以确保完全导通。其最大连续漏极电流为 4.8A，适用于中等功率的开关应用。此外，该器件的封装设计有助于提高散热效率，延长器件的使用寿命，并提高整体系统的可靠性。1SD1548AI-UL 还具有良好的抗静电能力和较高的耐用性，适合在复杂的电气环境中使用。

1SD1548AI-UL 主要用于需要高效能和高稳定性的电源管理场合。典型应用包括便携式电子设备的 DC-DC 转换器、电机驱动电路、负载开关控制以及电池供电设备中的功率开关。此外，它也常用于通信设备、工业控制系统和消费类电子产品中的功率管理模块。由于其低导通电阻和优良的热管理能力，该 MOSFET 在高频率开关应用中表现尤为出色。

Si2302DS, AO3400A, FDS6675, 2N7002K