时间：2025/8/2 6:27:59
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SIA425EDJ-T1-GE3是一款由Vishay Siliconix公司制造的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的TrenchFET技术，具有高性能和低导通电阻的特点。该器件适用于多种电源管理应用，如负载开关、DC-DC转换器和电机控制等。SIA425EDJ-T1-GE3封装为PowerPAK SO-8双封装，使其在有限的空间内提供出色的电气性能和热性能。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-20 V
栅源电压（Vgs）：±12 V
漏极电流（Id）：-4.9 A
导通电阻（Rds(on)）：36 mΩ @ Vgs = -4.5 V，50 mΩ @ Vgs = -2.5 V
功耗（Pd）：2.5 W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：PowerPAK SO-8
SIA425EDJ-T1-GE3采用先进的TrenchFET技术，使得该MOSFET具有极低的导通电阻，在-4.5 V和-2.5 V的栅极电压下分别达到36 mΩ和50 mΩ。这种低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。该器件的漏极电流为-4.9 A，适用于中等功率应用。
其漏源电压为-20 V，栅源电压范围为±12 V，使其适用于多种电源管理场景。SIA425EDJ-T1-GE3的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保其在各种环境条件下都能稳定运行。该MOSFET的PowerPAK SO-8封装不仅节省空间，还能提供良好的散热性能，确保器件在高负载条件下保持稳定。
此外，该器件具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了系统的整体响应速度。SIA425EDJ-T1-GE3还具备高可靠性和耐用性，适合用于工业控制、汽车电子和便携式设备等对性能要求较高的应用场景。
SIA425EDJ-T1-GE3广泛应用于多个领域，包括电源管理、负载开关、DC-DC转换器和电机控制等。在便携式电子设备中，该MOSFET可用于电池供电系统的高效能开关，减少能量损耗，延长电池寿命。在工业控制系统中，SIA425EDJ-T1-GE3可用于电机驱动和电源调节模块，提供稳定可靠的电力支持。
该器件还适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载娱乐系统等。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。此外，SIA425EDJ-T1-GE3也可用于通信设备和计算机外围设备的电源管理模块，确保设备的高效能和低功耗运行。
Si4425BDJ-E3、SMB425ES、AO4425、FDMS3624S、FDC6432S
