2SK168-D 是一款由日本东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于音频放大器、电源开关和电机控制等应用。该器件具有较高的耐压能力和良好的导通特性,适用于需要高稳定性和高效率的电子电路设计中。2SK168-D 是一款经典的功率MOSFET型号,广泛应用于工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):15A
漏源击穿电压(VDS):900V
栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):约0.45Ω(典型值)
工作温度范围:-55℃~+150℃
封装形式:TO-220
功率耗散(PD):75W
2SK168-D 具有良好的导通特性和较高的耐压能力,能够在高电压环境下稳定工作。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高整体效率。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持多种控制电路设计,增强了其在不同应用场景中的适应性。此外,2SK168-D 的封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。
该器件在音频放大器中应用广泛,尤其是在高保真音频设备中,能够提供较低的失真和较高的音质表现。其高耐压特性使其在开关电源、逆变器和电机驱动电路中也能表现出色,具备良好的稳定性和可靠性。此外,2SK168-D 的结构设计有助于减少开关损耗,提高响应速度,从而适应高频工作环境。
2SK168-D 主要应用于音频功率放大器、开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路和工业控制设备中。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其在高保真音响设备中特别受欢迎,同时也适用于需要高效率和高稳定性的电源管理应用。此外,它还可用于LED驱动电路、电池管理系统以及各种功率控制电路中。
2SK167, 2SK169, 2SK166, 2SK165