HN2064DG 时间：2025/9/29 16:37:52 阅读：8

HN2064DG是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等电力电子领域。该器件采用高性能的沟槽栅极技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和优良的热稳定性等特点，适合在高频工作条件下实现高效的能量转换。HN2064DG封装形式为SOP-8（表面贴装），具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限但对功率密度要求较高的应用场合。其额定电压为60V，最大连续漏极电流可达18A，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。此外，该MOSFET内置了ESD保护结构，并具备一定的抗雪崩能力，提升了系统的可靠性和耐用性。HN2064DG常用于笔记本电脑适配器、便携式设备电源管理模块、LED驱动电路及电池管理系统中，是现代低电压大电流应用场景中的理想选择之一。

参数

型号：HN2064DG
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：18A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：72A
　　导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ @ VGS=10V, ID=9A
　　导通电阻(RDS(on))：12mΩ @ VGS=4.5V, ID=9A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.3V
　　输入电容(Ciss)：2200pF @ VDS=30V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：650pF @ VDS=30V, VGS=0V
　　反向恢复时间(trr)：25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8 Power Package

特性

HN2064DG采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺设计，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其RDS(on)典型值仅为9.5mΩ（在VGS=10V时），即使在高负载条件下也能维持较低的工作温升，从而减少对外部散热措施的依赖。该器件具有优异的开关特性，包括快速的上升和下降时间以及较小的栅极电荷（Qg），有助于实现高频开关操作，适用于现代高频率DC-DC变换器拓扑结构如同步整流Buck或Boost电路。此外，HN2064DG的输入电容和输出电容经过优化，在保证快速响应的同时降低了驱动电路的功耗需求。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和长期可靠性，得益于其采用的Power SOP-8封装技术，底部带有裸露焊盘，可有效将热量传导至PCB地层，提升散热效率。这种封装方式不仅增强了热性能，也支持自动化贴片生产，提高了制造良率与一致性。HN2064DG内置了静电放电（ESD）保护二极管，能够在装配和使用过程中抵御一定程度的静电冲击，增强了器件的鲁棒性。同时，其具备一定的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压事件中提供额外的安全裕度，避免因意外电压尖峰导致器件永久损坏。
　　该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其可在工业级和汽车级应用环境中稳定运行。由于其出色的电气特性和封装优势，HN2064DG被广泛用于各种高性能电源管理系统中，尤其是在需要高效率、小体积和高可靠性的场合表现出色。

应用

HN2064DG主要应用于各类中低电压直流电源系统中，特别是在需要高效能功率转换的场合。常见用途包括笔记本电脑、平板电脑及其他便携式电子设备的DC-DC降压转换器，作为同步整流开关使用以替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通损耗并提升转换效率。此外，它也被广泛用于服务器电源、通信设备电源模块、LED照明驱动电源以及电池充电管理系统（BMS）中，承担主开关或同步整流角色。
　　在电机控制领域，HN2064DG可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，利用其快速开关能力和低导通电阻实现精确的速度与方向控制，同时减少发热问题。其高电流承载能力和良好的热性能使其适合于短时大电流冲击的应用场景，例如电动工具、无人机动力系统或车载辅助设备供电单元。
　　另外，由于其具备良好的EMI性能和稳定的开关行为，HN2064DG还可用于开关模式电源（SMPS）中的初级或次级侧开关元件，尤其适用于单端正激、反激或推挽拓扑结构。在太阳能微型逆变器、储能系统中的能量回收回路以及USB PD快充适配器中，该器件也能发挥重要作用。总之，凡是涉及60V以下电压等级、追求高效率与小型化设计的功率开关应用，HN2064DG都是一个极具竞争力的选择。