时间：2025/8/9 4:42:26
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2SK1663S 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用小型SOT-23封装，适合用于便携式电子设备、DC-DC转换器以及负载开关等场合。由于其低导通电阻和高速开关特性，2SK1663S 在电源管理和功率控制领域具有较高的效率和稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
最大连续漏极电流（Id）：100mA
导通电阻（Rds(on)）：5.5Ω（最大值，Vgs=4.5V）
阈值电压（Vgs(th)）：0.6V～1.5V
工作温度范围：-55°C～150°C
封装形式：SOT-23
2SK1663S MOSFET具有多项优异的电气特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在Vgs=4.5V时，Rds(on)最大仅为5.5Ω，使其适用于中低功率开关应用。
其次，该器件的阈值电压（Vgs(th)）范围为0.6V～1.5V，属于较低水平，使得其能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，适用于3.3V或更低电压供电的数字控制系统。
此外，2SK1663S具有较高的开关速度，能够支持高频操作，适用于DC-DC转换器、同步整流器等对开关性能要求较高的电路。
该器件的最大连续漏极电流为100mA，在小型MOSFET中属于中等偏高水平，适用于轻载或中等功率的负载控制。
最后，其SOT-23封装体积小巧，便于集成在空间受限的PCB布局中，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
2SK1663S广泛应用于便携式电子产品中的电源管理模块，例如手机、平板电脑、穿戴设备等。其低功耗和高开关速度特性使其适用于DC-DC升压/降压转换器、负载开关、电池保护电路及逻辑控制电路。此外，该器件也可用于信号切换和小功率电机控制等场景，适用于对功耗和空间要求较高的嵌入式系统设计。
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