2SK1587是一种N沟道MOSFET功率晶体管,广泛应用于高频放大器、开关电源以及其他需要高效率和高速开关的场景。该器件采用TO-3P封装形式,具备优秀的耐压特性和低导通电阻,能够满足高性能电子设备的需求。
2SK1587在射频(RF)领域中表现出色,适用于广播发射机、通信设备以及工业应用中的功率放大电路。由于其高可靠性和稳定性,它也常被用作其他MOSFET或双极型晶体管的替代品。
最大漏源电压:700V
最大栅源电压:±30V
漏极直流电流:16A
功耗:300W
通态电阻:1.4Ω
工作结温范围:-55℃至+175℃
过渡频率:9MHz
封装形式:TO-3P
2SK1587具有较高的击穿电压和较低的导通电阻,使其非常适合用于高频功率放大器和开关电源的应用。其高耐压能力允许它在高压环境下稳定运行,而低导通电阻则有助于减少能量损耗并提高整体效率。
此外,该器件还具备良好的热稳定性和可靠性,在极端温度条件下也能保持性能不变。这使得2SK1587成为许多专业应用的理想选择,尤其是在需要长时间连续工作的场景下。
与其他同类产品相比,2SK1587的过渡频率较高,可以支持更高效的高频切换操作。同时,其封装设计便于散热,进一步增强了器件的工作寿命与稳定性。
2SK1587主要应用于以下领域:
1. 射频功率放大器,如广播发射机、无线通信设备等。
2. 开关电源及DC-DC转换器。
3. 工业控制中的电机驱动和逆变器。
4. 高压脉冲发生器和其他相关电子设备。
5. 任何需要高压、大电流、快速切换能力的场合。
凭借其卓越的电气性能和机械结构,2SK1587能够在多种复杂环境中提供可靠的解决方案。
2SK1117, 2SK1827