时间：2025/8/9 12:59:33
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2SK1387 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关应用和功率放大器电路。这款MOSFET具有较高的工作频率响应能力，适用于DC-DC转换器、电源管理模块以及小型电机驱动电路等场景。2SK1387采用TO-92封装，体积小巧，适合嵌入式和便携式电子设备中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on))：约15Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92
2SK1387 MOSFET具有良好的高频响应特性，适用于高频开关电路，可以有效降低开关损耗并提高系统效率。该器件的输入阻抗高，能够减少对前级电路的负载影响，并提供较快的开关速度。此外，其低漏电流特性在关闭状态下可以有效降低能耗，提高电路的稳定性。
这款MOSFET的栅极驱动要求较低，可以在较低的VGS电压下实现良好的导通状态，适合用于低电压控制系统。由于其封装形式为TO-92，体积小巧，适合在空间受限的电路板上使用。
2SK1387还具备较强的温度稳定性，在宽温度范围内工作性能稳定，适用于工业级和消费级电子产品。其设计也使其易于与驱动电路集成，简化了外围电路的设计复杂度。
2SK1387广泛应用于各类低功率电子设备中，特别是在需要高频开关特性的电路中。常见应用包括DC-DC升压/降压转换器、小型电源管理模块、LED驱动电路、低功耗放大器以及便携式设备中的电机控制电路等。
此外，该器件也适用于模拟开关、信号处理电路以及各种低电压控制应用。在通信设备、传感器电路和嵌入式系统中，2SK1387可用于实现高效的电能转换与信号控制功能。
2SK1387的替代型号包括2SK1386、2SK2462、2N3819、BF245C等，这些型号在性能参数和应用领域上具有一定的兼容性，可根据具体需求进行选择。
