时间：2025/3/31 17:25:34
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D371-20N是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和出色的热性能，适合需要高效能和可靠性的电路设计。
作为一款功率MOSFET，D371-20N能够在高频应用中提供高效的开关性能，并且其封装形式通常为TO-220或TO-252，有助于散热管理。
最大漏源电压：200V
最大连续漏极电流：18A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：0.15Ω
总功耗：140W
工作温度范围：-55℃至+150℃
主要特点是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在导通状态下能够减少功率损耗并提高效率。此外，它具备快速开关能力，能够适应高频应用环境。
该器件还拥有良好的热稳定性，即使在高温条件下也能保持稳定的电气性能。同时，其高击穿电压确保了在高压电路中的可靠性。
另外，由于采用了标准的TO-220封装，D371-20N易于安装，并可通过适当的散热器进一步提升散热效果，从而延长使用寿命。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流电机驱动
3. 负载切换电路
4. 逆变器
5. 过流保护电路
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
其强大的电流承载能力和快速开关特性使其成为这些应用的理想选择。
IRFZ44N, STP16NF06, FDP15N20
