类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：45A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大22mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：约80nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-252（D-Pak）

FQP45N03LM的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件能够在高频率下工作，适合用于高频开关应用，如同步整流和DC-DC降压转换器。其采用先进的沟槽式技术，提供了更高的电流密度和更好的热稳定性。此外，FQP45N03LM具备较强的过载和瞬态电流承受能力，能够在严苛的工作环境下稳定运行。其TO-252封装形式便于散热，并支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
　　在栅极驱动方面，FQP45N03LM具有较低的输入电容和栅极电荷，这使得其在高速开关应用中表现出色，同时降低了驱动电路的复杂性和功耗。该MOSFET还具有良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。FQP45N03LM在设计时考虑了热管理和电气性能的优化，使其成为工业控制、消费电子和汽车电子领域的理想选择之一。

FQP45N03LM广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中，包括但不限于：高效DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动器、电池充放电管理系统、LED照明驱动器、负载开关和工业自动化控制系统。此外，它也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统（EPS）等，以满足对高效能、高可靠性功率器件的需求。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710, FDP45N03AL, IPB045N03L