IR2103SPBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的高压浮置栅极驱动芯片,主要用于半桥配置中的MOSFET或IGBT的驱动。该芯片能够提供高达600V的耐压能力,并且具有独立的高端和低端驱动通道,使其非常适合用于电机控制、开关电源、逆变器以及其他功率转换应用。
该芯片采用了自举电容技术,可以为高端驱动器提供所需的电压,从而简化了电路设计并降低了成本。此外,IR210条件下关闭输出驱动器。
工作电压:10V~20V
最大耐压:600V
驱动电流:±2A
传播延迟:80ns(典型值)
匹配延迟:30ns(典型值)
工作温度范围:-40℃~125℃
封装形式:SOIC-8
IR2103SPBF具有以下主要特性:
1. 高压浮动通道,适用于驱动N沟道MOSFET或IGBT的高端开关。
2. 内置自举二极管,简化了外部元件的需求。
3. 欠压锁定保护功能,确保供电电压不足时关闭输出以保护器件。
4. 独立的高端和低端输入,支持直接连接PWM信号源。
5. 较低的传播延迟和高匹配度延迟,适合高频应用。
6. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境下的工作需求。
7. 提供短路保护功能,增强了系统的可靠性。
IR2103SPBF广泛应用于各种功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
2. 电机驱动与控制,例如家用电器中的无刷直流电机驱动。
3. 逆变器,用于太阳能发电系统或不间断电源(UPS)。
4. 荧光灯镇流器和其他需要高效功率转换的应用。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高性能和可靠性,IR2103SPBF成为许多功率驱动应用的理想选择。
IR2104S,
IR2109S,
STMicroelectronics的STDR206D