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MMBF170 发布时间 时间:2025/5/20 20:10:22 查看 阅读:2

MMBF170是一种NPN型的小信号晶体管,广泛应用于高频放大、开关和混频等电路中。该晶体管具有较高的增益、低噪声和良好的频率特性,适合于射频(RF)及无线通信领域。其封装形式为SOT-23,属于表面贴装器件,能够节省PCB空间并提升装配效率。
  MMBF170与常见的2N3904等晶体管类似,但其性能更优,尤其是在高频应用场合表现突出。

参数

集电极-发射极电压:40V
  集电极电流:-200mA
  直流电流增益(hFE):100~630
  功率耗散:315mW
  过渡频率(fT):800MHz
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

MMBF170晶体管的主要特点是高频性能优越,适合用于高频小信号放大的场景。它具有以下几项关键优势:
  1. 高增益:其直流电流增益(hFE)在100至630之间,能够在弱信号放大时提供稳定的增益效果。
  2. 高速切换能力:由于过渡频率高达800MHz,因此非常适合高频应用环境。
  3. 小尺寸封装:采用SOT-23封装,体积小巧,便于设计紧凑型电路。
  4. 宽温范围:可以在极端温度条件下正常工作,适应各种恶劣环境。

应用

MMBF170适用于多种电子设备中的高频放大和开关控制,例如:
  1. 射频放大器和混频器电路。
  2. 调制解调器、无线通信模块中的信号处理。
  3. 音频放大器的前置级放大。
  4. 开关电源或PWM控制器中的驱动电路。
  5. 各种便携式设备中的低功耗、高频信号传输部分。

替代型号

MMBT170
  BFR120
  2SC2474

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MMBF170参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C500mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 200mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds40pF @ 10V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBF170TR