2SK1194 时间：2025/8/7 15:42:08 阅读：33

2SK1194 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理和开关电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等优点，适用于高效率的DC-DC转换器、电源开关、电机驱动以及各种高功率电子设备。其封装形式为TO-220AB，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：8A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

2SK1194 MOSFET具有多项优异的电气特性，能够满足高功率应用的需求。首先，其漏源电压（VDS）高达500V，使得该器件适用于中高功率的开关电源和逆变器设计。其次，该MOSFET的导通电阻较低，最大为0.85Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，其连续漏极电流可达8A，在适当的散热条件下可以支持更高的负载能力。
　　该器件采用了先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性。其TO-220AB封装不仅便于安装在散热片上，还能有效降低热阻，提高散热效率。栅极驱动电压范围宽（±30V），使其兼容多种驱动电路设计，适用于PWM控制和高速开关应用。
　　2SK1194 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护，提高电路的稳定性。此外，其工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），适用于工业环境下的各种严苛条件。

应用

2SK1194 主要应用于需要高耐压、中等电流和高效开关性能的电子设备中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、UPS系统、逆变器、充电器以及工业自动化设备中的功率开关部分。此外，由于其良好的热稳定性和可靠性，该器件也常用于需要长时间连续工作的电源系统中，如服务器电源、通信设备电源和消费类电子产品中的高功率模块。