时间：2025/6/12 2:33:05
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TRPGR30ENATGB是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高压功率MOSFET，属于MDmesh?技术系列。这款器件采用TO-220封装形式，具有高击穿电压和低导通电阻的特性，非常适合用于开关电源、电机驱动器、DC/DC转换器等需要高效能和高可靠性的应用场合。
该MOSFET为N沟道类型，主要设计用于中高功率的应用场景，其出色的性能使其成为工业和消费电子领域中的热门选择。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：3A
导通电阻：950mΩ（典型值，在VGS=10V时）
栅极电荷：25nC（典型值）
输入电容：680pF（典型值）
总功耗：14W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
TRPGR30ENATGB具备以下关键特性：
1. 高耐压能力，可承受高达800V的漏源电压，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，能够实现高效的开关操作，适用于高频应用场景。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度范围内保持稳定的工作状态。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的要求。
TRPGR30ENATGB广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，提供高效能的功率转换。
2. 工业电机控制和驱动电路，用于精准的功率调节。
3. LED照明驱动器，确保高亮度LED灯组的稳定供电。
4. DC/DC转换器，用于各种电压等级之间的转换。
5. 太阳能逆变器和电池管理系统，优化能量传输和存储效率。
6. 消费类电子产品中的电源管理模块，如家电设备和计算机外IRF840,
STP30NF8,
IXTH30N80T,
FQA40P80,
STW53N8
