2SK1170 时间：2025/9/7 18:56:17 阅读：7

2SK1170是一款由日本东芝公司制造的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率放大电路、开关电源和音频放大器等应用中。这款晶体管具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，使其在需要稳定性和可靠性的应用中表现优异。2SK1170采用TO-3P封装形式，具有良好的散热性能，适用于各种高功率电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：8A
　　漏-源极击穿电压：150V
　　栅极阈值电压：2V至4V
　　漏-源导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω
　　最大耗散功率：75W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-3P

特性

2SK1170是一款适用于高功率应用的MOSFET，其核心特性包括高耐压能力（150V）和较大的最大漏极电流（8A），这使得它能够在高电压和高电流条件下稳定工作。该器件的低导通电阻（Rds(on)）为1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。此外，2SK1170具有良好的热稳定性，最大耗散功率可达75W，适用于需要高效散热的电子设备。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为2V至4V，这意味着它可以在较低的控制电压下工作，适用于多种驱动电路设计。TO-3P封装形式不仅提供了良好的散热性能，还具备较高的机械强度和可靠性，适合在恶劣的环境条件下使用。
　　在实际应用中，2SK1170常用于开关电源、音频功率放大器、直流-直流转换器以及各种需要高功率开关的电路中。由于其优异的性能表现，该器件能够有效提高电路的效率和稳定性。

应用

2SK1170广泛应用于高功率电子设备中，例如音频功率放大器、开关电源、直流-直流转换器以及各种电源管理系统。在音频放大器中，它可以提供高效的功率输出，提升音频质量；在开关电源中，该MOSFET能够实现高效的电能转换，降低能量损耗；而在直流-直流转换器中，2SK1170可用于提高系统的稳定性和响应速度。此外，它也适用于电机控制、电池充电器和照明系统等高功率应用领域。