类型：N沟道 JFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：-5 V
　　最大功耗（Pd）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　跨导（Gm）：典型值 30 mS（在Vds=10V, Id=1mA条件下）
　　漏极电流（Idss）：典型值 6 mA（在Vgs=0V时）
　　输入电容（Ciss）：约 4.5 pF
　　输出电容（Coss）：约 2.5 pF
　　反馈电容（Crss）：约 0.6 pF
　　封装形式：TO-71 或类似金属圆壳封装

2SK108具备出色的低频噪声抑制能力，尤其是在音频频率范围内表现出远低于双极型晶体管的噪声水平，这主要归因于其输入端为反向偏置的PN结，几乎没有栅极电流流动，从而显著降低了散粒噪声和热噪声的影响。这种低噪声特性使得它成为高保真音频前置放大级的理想选择，在麦克风前置放大器、唱头放大器以及精密测量设备中被广泛应用。该器件具有较高的输入阻抗，通常可达10^9欧姆以上，这使其能够有效地接收微弱信号而不对信号源造成负载效应，特别适用于传感器接口电路或高阻抗探头缓冲器。
　　2SK108的跨导特性经过优化，能够在较低的工作电流下实现较高的增益，有利于降低系统整体功耗并减少热漂移问题。同时，其跨导随漏极电流的变化呈近似平方律关系，符合JFET的基本工作原理，便于进行线性放大设计。该器件还表现出良好的温度稳定性，其关键参数如Idss和Vp（夹断电压）在整个工作温度范围内变化较小，有助于维持电路性能的一致性。
　　另一个重要特点是其匹配性能优异，制造商在生产过程中对器件参数进行了筛选，因此可以方便地用于构成差分对电路，从而进一步提高共模抑制比和系统稳定性。此外，2SK108的小型金属封装不仅提供了良好的电磁屏蔽效果，还能有效散热，提升了器件在严苛环境下的可靠性。尽管现代CMOS工艺已能实现类似功能，但2SK108凭借其自然的模拟特性和成熟的应用经验，仍在高端模拟电路设计中占有一席之地。

2SK108主要用于需要高输入阻抗和低噪声放大的模拟电子电路中。典型应用场景包括音频前置放大器，特别是在动圈或动磁唱头放大器（Phono Preamp）中，因其能有效放大微伏级别的音频信号并保持极低的本底噪声，从而还原出清晰细腻的声音细节。它也常用于医疗电子设备中的生物电信号采集前端，例如心电图（ECG）或脑电图（EEG）放大器，这些应用要求极高输入阻抗以避免加载微弱生理信号源，并且必须具备优秀的共模抑制能力和噪声性能。
　　此外，2SK108可用于测试与测量仪器，如示波器、频谱分析仪和高精度万用表的输入缓冲级，确保信号完整性不受影响。在工业传感器信号调理电路中，该器件可用作阻抗变换器或电压跟随器，将高输出阻抗的传感器信号转换为低阻抗输出以便后续处理。
　　由于其良好的线性度和温度稳定性，2SK108也被用于模拟乘法器、压控电阻和自动增益控制（AGC）电路中。在科研领域，该器件常出现在低噪声前置放大模块的设计中，用于探测微弱光信号、射频信号或粒子探测器输出信号的预处理环节。尽管近年来部分新型宽带低噪声MOSFET逐渐替代传统JFET，但在特定模拟应用中，2SK108仍因其可预测的电气行为和长期使用的可靠性而受到工程师青睐。

2SK109
　　2SK110
　　NJF201
　　2N4416
　　J201