时间：2025/12/26 20:18:01
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IXGA16N60B2D1是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能高压功率MOSFET，采用先进的Superjunction（超结）技术设计，属于其冷温度门极（CoolMOS?）系列中的一个型号。该器件专为高效率、高频开关电源应用而优化，广泛用于工业电源、服务器电源、通信设备、太阳能逆变器和照明系统等要求高能效和高可靠性的场景中。IXGA16N60B2D1具有600V的漏源击穿电压（VBDS），连续漏极电流可达16A（在25°C下），适用于需要高功率密度和低导通损耗的设计。该MOSFET采用TO-247封装，具备优良的热性能和机械稳定性，适合焊接在散热器上以实现高效散热。作为一款增强型N沟道MOSFET，它在栅极施加正电压时导通，常用于硬开关和软开关拓扑结构中，如PFC（功率因数校正）、LLC谐振转换器和反激式/正激式电源电路。由于采用了Superjunction结构，IXGA16N60B2D1在保持高击穿电压的同时显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了传导损耗，提升了整体系统效率。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和dv/dt耐受性，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。
型号：IXGA16N60B2D1
制造商：Infineon Technologies
产品系列：CoolMOS? CFD2
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VBDS）：600 V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：16 A
脉冲漏极电流（IDM）：64 A
导通电阻 RDS(on)：max 180 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 8 A
栅极阈值电压（VGS(th)）：min 3.0 V, typ 4.0 V, max 5.0 V
输入电容（Ciss）：typ 1700 pF @ VDS = 50 V, VGS = 0 V
输出电容（Coss）：typ 170 pF
反向恢复时间（trr）：typ 32 ns
反向恢复电荷（Qrr）：typ 29 μC
最大工作结温（Tj）：150 °C
封装类型：TO-247
IXGA16N60B2D1基于Infineon先进的CoolMOS? CFD2技术平台，采用Superjunction（超结）结构，在维持600V高耐压的同时大幅降低RDS(on)DS(on)直接减少了传导损耗，提高了电源系统的整体效率。
该器件具备出色的开关性能，其输入和输出电容经过优化，有助于减少驱动损耗并提升开关速度。同时，内置的快速体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统在连续导通模式（CCM）PFC电路中的稳定性。这对于使用图腾柱PFC或桥式拓扑的应用尤为重要。
IXGA16N60B2D1还具备良好的热稳定性和长期可靠性，支持高达150°C的最大结温，并可在宽温度范围内保持稳定的电气性能。TO-247封装提供了低热阻路径，便于安装散热器，确保在高负载条件下仍能安全运行。此外，该器件符合RoHS标准，无铅且环保，适用于现代绿色能源产品设计。其坚固的结构也赋予其较强的抗浪涌和抗雪崩能力，能够在瞬态过压或短路情况下保持一定的鲁棒性，提升了整个电源系统的安全性与寿命。
IXGA16N60B2D1广泛应用于各类高效率开关电源系统中，尤其适合用于功率因数校正（PFC）级电路，如升压PFC和图腾柱PFC拓扑，能够显著提高AC-DC转换效率并满足严苛的能效标准（如80 PLUS Titanium）。在服务器电源、电信整流器和工业电源模块中，该器件因其低损耗和高可靠性成为关键组件。此外，它也被用于太阳能微型逆变器和储能系统中的DC-DC转换环节，帮助实现紧凑化设计和高效能量转换。
在LED驱动电源领域，特别是大功率户外照明和商业照明系统中，IXGA16N60B2D1可用于高频反激式或半桥LLC谐振转换器，提供稳定的电压输出和高功率密度。其快速开关特性和低Qrr体二极管也有助于减少EMI滤波元件的数量，从而降低系统成本和体积。
该器件同样适用于工业电机驱动、焊机电源和不间断电源（UPS）等对动态响应和热管理有较高要求的场合。得益于其优异的热性能和稳健的电气参数，IXGA16N60B2D1能够在高温、高湿和高振动环境下长期稳定运行，满足工业级应用的严苛条件。此外，由于其标准化的TO-247封装，便于替换和自动化生产，因此在批量制造中具有良好的可制造性和维护便利性。
IPA60R180CFD
