ITXH12N45A 时间：2025/8/5 17:49:54 阅读：27

ITXH12N45A 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET，专为高电压和高功率应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。ITXH12N45A适用于各种电源转换设备，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机控制和逆变器系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：450V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：12A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大值）
　　功耗（Ptot）：64W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-247等

特性

ITXH12N45A MOSFET采用了英飞凌先进的沟槽栅极技术，使其在高电压下具有出色的导通和开关性能。其导通电阻仅为0.35Ω，在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度。
　　该MOSFET的热性能优越，封装设计能够有效散热，确保在高功率条件下稳定运行。同时，其耐压能力高达450V，适合用于中高压电源转换系统。ITXH12N45A还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发过电压情况下提供额外的可靠性。
　　此外，ITXH12N45A具备良好的抗短路能力和稳定的热稳定性，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。其封装形式多样，包括TO-220和TO-247，便于在不同应用场景中灵活使用。

应用

ITXH12N45A广泛应用于各种高电压和高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）系统、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器）。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，该器件也适用于需要高效能和高可靠性的汽车电子应用，如车载充电器和电动工具驱动电路。