2SJ632-TD-E 时间：2025/8/2 7:06:46 阅读：31

2SJ632-TD-E 是一款由东芝（Toshiba）制造的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用高密度单元设计，提供优良的导通特性和快速的开关性能。该型号的封装形式为 TD（小型表面贴装封装），适用于紧凑型电路设计。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-150V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-3A
　　导通电阻（Rds(on)）：约 1.8Ω @ Vgs = -10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TD（TO-252 或类似）
　　功率耗散（Pd）：25W

特性

2SJ632-TD-E 的设计旨在为中高功率应用提供高效、可靠的性能。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术，具有较低的导通电阻和出色的热稳定性，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外，其坚固的结构和良好的抗过载能力使其适用于各种工业和消费类电子产品。
　　该 MOSFET 具有良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，提高开关速度，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、逆变器和电机控制等高频应用。同时，其 -150V 的漏源电压额定值使其能够承受较高的电压应力，确保在恶劣工作条件下的稳定运行。
　　封装方面，TD 封装提供了良好的热管理和空间利用率，适合表面贴装工艺，提高了 PCB 布局的灵活性。此外，该器件的 RoHS 合规性确保其符合现代电子产品的环保要求。

应用

2SJ632-TD-E 主要用于需要高可靠性和高效率的功率电子系统中。典型应用包括电源管理系统中的负载开关、电池供电设备的电源控制、DC-DC 转换器的同步整流部分、电机驱动电路以及各类工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也可用于音频放大器的功率输出级、LED 照明驱动电路以及各种消费类电子产品的电源管理模块。