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LH5P8128T70TP 发布时间 时间:2025/8/27 16:48:09 查看 阅读:11

LH5P8128T70TP 是一款由 Sanyo(三洋)公司生产的功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类型。该器件主要用于需要高功率处理能力的应用中,例如电源管理、DC-DC转换器和电机控制。LH5P8128T70TP 设计为在高电流和高电压条件下稳定工作,同时提供较低的导通电阻以提高效率和减少发热。

参数

类型: N沟道MOSFET
  最大漏极电流 (ID): 80A
  最大漏-源电压 (VDS): 100V
  最大栅-源电压 (VGS): ±20V
  导通电阻 (RDS(on)): 0.0045Ω
  工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  封装类型: TO-263(表面贴装)
  功率耗散 (PD): 200W

特性

LH5P8128T70TP 具备一系列卓越的电气和物理特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流条件下,晶体管的功率损耗和发热保持在最低水平,从而提高整体系统的效率。
  其次,LH5P8128T70TP 支持高达80A的连续漏极电流,并可在漏-源之间承受最高100V的电压,这使其适用于多种中高功率电子系统,包括电源转换器和工业控制电路。
  此外,该MOSFET采用TO-263封装,具备良好的热管理和机械稳定性,适用于表面贴装工艺,提高了PCB设计的灵活性和可靠性。其宽广的工作温度范围(-55°C至+175°C)确保在极端环境下依然能够稳定运行,适合工业和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
  最后,LH5P8128T70TP 的栅极驱动电压范围宽(±20V),使其兼容多种驱动电路设计,提高了设计的灵活性。

应用

LH5P8128T70TP 主要应用于需要高效能功率控制的电子设备中。其典型应用包括高性能DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路以及工业自动化设备中的电源管理系统。由于其出色的电流承载能力和低导通损耗,LH5P8128T70TP 非常适合用于高效率开关电源(SMPS)和电池管理系统中。此外,在汽车电子领域,例如电动车的电能管理系统和车载充电器中,LH5P8128T70TP 也常被采用,以满足对高可靠性和高效率的严格要求。

替代型号

Si7490DP, IRF1405, FDS8858

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