型号：2SJ629
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：-4.1A（@Vgs=-10V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　最大功耗（Pd）：1W（@Ta=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@Vgs=-10V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SJ629 P沟道MOSFET具备多项优异的技术特性，使其在同类器件中表现出色。首先，其采用沟槽结构工艺，显著降低了导通电阻（Rds(on)），典型值仅为35mΩ（在Vgs = -10V条件下），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升电源转换效率。对于便携式设备而言，这一点至关重要，因为它直接关系到电池续航能力和系统温升控制。其次，该器件具有较高的电流承载能力，在标准测试条件下可支持-4.1A的连续漏极电流，并能在短时间内承受高达-12A的脉冲电流，满足瞬态负载变化的需求。
　　另一个关键特性是其良好的栅极驱动兼容性。2SJ629的最大栅源电压为±20V，允许在宽范围的控制信号下稳定工作，同时其阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了在低电压逻辑电平下也能实现可靠的开启与关断操作。这一特性使其非常适合与现代微控制器、数字逻辑电路或专用驱动IC配合使用，构建高效的电源管理系统。
　　热性能方面，2SJ629在环境温度25°C时的最大功耗为1W，得益于SOT-23封装优化的散热设计，能够在有限空间内有效散发热量。其工作结温可达+150°C，具备较强的环境适应能力，适用于高温工作场景。此外，该器件还内置了一定程度的静电放电（ESD）防护机制，增强了在装配和使用过程中的鲁棒性，减少了因意外静电损伤导致的失效风险。
　　最后，2SJ629具有快速的开关响应时间，包括较短的开通延迟时间和关断时间，有利于实现高频开关操作，适用于DC-DC降压或同步整流等需要高频率工作的拓扑结构。综合来看，这些特性使2SJ629成为一种高效、可靠且易于集成的功率开关元件。

2SJ629主要应用于各类低电压、中等功率的开关与控制电路中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关，如智能手机、平板电脑、数码相机和手持仪器等，用于控制电池向不同功能模块供电的通断，实现节能与电源管理。此外，它也广泛用于DC-DC转换器中，尤其是在同步整流架构中作为上管或下管使用，利用其低导通电阻特性来提高转换效率，减少能量损耗。
　　在电机驱动电路中，2SJ629可用于小型直流电机的方向控制或启停控制，特别是在玩具、微型机器人或家用电器中。由于其响应速度快、驱动简单，非常适合构建H桥驱动电路中的高端开关部分。另外，在LED驱动电路中，该器件也可作为恒流源的开关元件，用于调节亮度或实现脉冲调光功能。
　　工业控制领域中，2SJ629常被用作传感器模块、继电器驱动或I/O端口的电平转换与隔离开关，提供稳定可靠的信号控制路径。在电池管理系统（BMS）中，它可以作为充放电控制开关，防止反向电流或过流情况发生，保障电池安全。此外，由于其SOT-23小型封装，特别适合对空间要求严格的高密度印刷电路板设计，例如可穿戴设备、物联网终端和微型电源适配器等产品中均有广泛应用。

SSM2303, FMMT718, DMG2304U, SI2301DS, TSM2303