类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（最大值）
　　封装类型：SOP/DFN
　　工作温度范围：-55°C至150°C

TMT30215C具备低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。其15mΩ的Rds(on)值确保了在大电流工作条件下，MOSFET仍能保持较低的温升，从而提升系统的稳定性和可靠性。此外，该器件的漏源电压为30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高压应用。
　　该MOSFET的最大连续漏极电流为20A，具有良好的电流承载能力，适用于高功率密度设计。栅源电压容限为20V，提供了更宽的驱动电压范围，增强了系统的灵活性。TMT30215C的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于严苛的环境条件，如工业自动化、汽车电子等领域。
　　在封装方面，TMT30215C采用了表面贴装封装技术，有利于简化PCB布局并提高焊接可靠性。该封装形式还具有良好的散热性能，有助于将芯片产生的热量快速传导至PCB，从而降低器件的工作温度。此外，TMT30215C的封装尺寸紧凑，适合用于空间受限的设计，例如便携式设备和嵌入式系统。

TMT30215C广泛应用于多个领域，包括但不限于电机控制、电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及汽车电子。在电机控制中，TMT30215C可以作为H桥电路中的开关器件，实现对电机的高效驱动和方向控制。在电源管理系统中，它可用于构建高效率的同步整流器和开关电源，以提升整体能效。由于其高可靠性和宽工作温度范围，TMT30215C也适用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统。此外，在消费类电子产品中，TMT30215C可作为负载开关或电源管理单元的关键组件，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。

Si4410BDY-T1-GE3
　　IRF3703PBF
　　TNT4140P