时间：2025/7/10 12:15:58
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IPU06N03LA是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的制造工艺设计，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款MOSFET适用于中小功率应用场合，其额定电压为30V，能够满足多种低压应用场景的需求。同时，IPU06N03LA采用了紧凑的封装形式，便于在空间受限的设计中使用。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：15mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：1.4W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23
1. 低导通电阻，减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用。
3. 高雪崩能力，增强器件的鲁棒性。
4. 紧凑的SOT-23封装，节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 提供出色的热稳定性和电气性能，适应恶劣的工作环境。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 消费类电子设备的电源管理模块。
6. 工业自动化中的小型驱动器和控制器。
IRLML6402, SI4876DY, FDN349AN
