时间：2025/6/14 17:49:06
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MMQA27VT3G 是一款 N 沣道通态 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及高效率等特性，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
其设计主要针对高电流应用场合，能够提供卓越的性能表现，并且具备出色的热稳定性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：58A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：2560pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
MMQA27VT3G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力，适合于大功率应用环境。
3. 快速开关性能，减少开关损耗，提升动态响应能力。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适用于苛刻的工作条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 小型封装设计，节省电路板空间。
这款 MOSFET 可用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制。
3. 工业自动化设备中的功率转换。
4. 充电器和适配器设计。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关。
6. 各类负载切换和保护电路。
IRLB8748PBF, AO3400A
