时间:2025/12/27 9:37:27
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EMK212F225ZG是三星电机(Samsung Electro-Mechanics)生产的一款多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于通用型贴片电容,广泛应用于各类电子设备的电源去耦、信号滤波和旁路电路中。其封装尺寸为0805(英制),即公制2012,适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。该电容器采用X7R温度特性介质材料,具备良好的电容稳定性,能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内,适用于工业级和消费类电子产品。EMK212F225ZG的标称电容值为2.2μF,额定电压为25V DC,具有较高的体积效率,在中等电压和电容需求的应用中表现出优异的性能与可靠性。作为一款镍阻挡层端子电极(Ni-barrier)结构的MLCC,它还具备良好的可焊性和耐热冲击能力,支持回流焊接工艺,符合现代表面贴装技术(SMT)的要求,并满足RoHS环保标准。
型号:EMK212F225ZG
制造商:Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸:0805(2012公制)
电容值:2.2μF
容差:±20%
额定电压:25V DC
介电材料:X7R
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
温度特性:ΔC/C ≤ ±15%
电极结构:Ni-barrier(镍阻挡层)
安装类型:表面贴装(SMD)
产品系列:EMK系列
无铅/符合RoHS:是
EMK212F225ZG采用先进的多层陶瓷制造工艺,具有优异的电气稳定性和机械可靠性。其X7R介电材料确保了在宽温度范围内电容值的变化较小,适用于对电容稳定性有一定要求但无需NP0/C0G级别精度的应用场景。该电容器的2.2μF电容值在0805封装中实现了较高的体积效率,相较于传统电容,在相同尺寸下提供了更大的储能能力,有助于减少电路板空间占用并提高系统集成度。此外,其25V的额定电压使其能够安全地用于3.3V、5V或12V电源系统的去耦设计,有效抑制高频噪声和电压波动。
该器件采用镍阻挡层端子结构,显著提升了抗迁移能力和耐湿性,降低了在高温高湿环境下发生银离子迁移或电极腐蚀的风险,从而提高了长期使用的可靠性。这种结构也增强了焊接强度和热循环耐久性,适合经历多次回流焊的复杂PCB组装流程。EMK212F225ZG还具备低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)特性,使其在高频去耦和瞬态响应应用中表现良好,能快速响应负载变化,稳定电源电压。
由于采用标准化的SMD封装,该电容兼容自动化贴片设备,便于大规模生产。同时,产品经过严格的质量控制流程,符合AEC-Q200等可靠性标准的部分要求,适用于汽车电子、工业控制、通信设备和消费类电子产品。其无铅端子设计符合RoHS和REACH环保指令,支持绿色制造。总体而言,EMK212F225ZG是一款性能均衡、可靠性高且成本效益优良的通用型MLCC,特别适合需要中等电容值和电压等级的去耦与滤波应用。
EMK212F225ZG广泛应用于各类电子设备中的电源管理单元,主要用于IC电源引脚的去耦,以消除高频噪声并稳定供电电压。在数字电路中,如微处理器、FPGA、ASIC和存储器模块中,该电容常被布置在电源入口附近,用于滤除开关噪声和瞬态干扰,提升系统稳定性。此外,它也适用于DC-DC转换器的输入输出滤波电路,配合电感构成LC滤波网络,平滑电压纹波,提高电源效率。
在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、智能家居设备和可穿戴装置中,EMK212F225ZG凭借其小型化和高可靠性特点,被广泛用于主板上的电源轨滤波。在工业控制系统中,包括PLC、传感器模块和人机界面设备,该电容可用于信号调理电路和ADC/DAC参考电压旁路,确保模拟信号的精度。此外,在汽车电子领域,如车载信息娱乐系统、车身控制模块和ADAS传感器供电电路中,该器件也能胜任一般非关键性去耦任务。
由于其工作温度范围宽,该电容还可用于环境条件较严苛的户外设备,如通信基站、安防监控摄像头和工业网关。在射频电路中,虽然不作为主要调谐元件,但仍可用于偏置电路的旁路,防止RF信号串扰到直流供电线路。总之,凡需在紧凑空间内实现稳定电容性能的场合,EMK212F225ZG均是一个可靠的选择。
GRM21BR71E225KA01L
CL21A225KAQNNNE
C2012X7R1E225K125AE
TC3216X7R25V225K