时间：2025/8/9 13:05:51
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2SJ472-01S 是一种P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关等应用中。该器件具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适合中高功率的电子设备。作为一款分立式功率MOSFET，2SJ472-01S 通常采用SOT-223封装形式，具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT）。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：-5A
导通电阻（Rds(on)）：约0.085Ω @ Vgs = -10V
功耗（Pd）：1.25W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-223
2SJ472-01S 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率；其P沟道结构适用于高边开关应用，无需额外的驱动电路即可实现负载的高侧控制；该器件具备较高的热稳定性和良好的短路耐受能力，能够在较为严苛的工作条件下稳定运行。
此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和电池管理系统。SOT-223封装提供了较好的散热性能，使得该器件能够在较高功耗条件下保持良好的热管理。
2SJ472-01S 还具有较高的可靠性，适用于工业控制、电源管理、消费类电子以及车载电子等多种应用场合。其引脚排列设计便于PCB布局，并兼容常见的表面贴装焊接工艺，有利于提升生产效率和装配良率。
2SJ472-01S 主要应用于电源开关、DC-DC转换器、负载控制、电池管理系统、LED驱动电路、电源管理模块以及工业控制设备中。它也常用于高边开关电路，例如在电源切换、电机控制和继电器替代电路中提供高效的控制方案。
2SJ355, 2SJ306, IRF9Z34N, FQP13P06
