您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > W9812G2KB-6I TR

W9812G2KB-6I TR 发布时间 时间:2025/8/20 23:10:17 查看 阅读:12

W9812G2KB-6I TR 是由 Winbond 公司生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于 EDO DRAM 类型。该型号具有 128 KB 的存储容量,采用 5V 电源供电,属于 8 位数据宽度的存储器。该芯片通常用于需要中等存储容量和中等速度的应用场合,例如工业控制、通信设备和嵌入式系统。

参数

存储容量:128 KB
  数据总线宽度:8 位
  电源电压:5V
  访问时间:6 ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  内存类型:EDO DRAM

特性

W9812G2KB-6I TR 采用 EDO(Extended Data Out)技术,提高了数据访问效率,相比传统的 FPM DRAM 具有更快的读写速度。芯片的访问时间为 6 ns,这使其在需要快速数据访问的应用中表现出色。其 TSOP 封装形式具有较小的体积和良好的散热性能,适用于空间受限的电路板设计。此外,该芯片支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在恶劣环境中依然能够稳定工作。
  这款 DRAM 芯片的设计注重稳定性和兼容性,支持标准的异步 DRAM 控制信号,使其能够轻松集成到各种系统架构中。它在嵌入式系统和旧式工业设备中常见,用于缓存数据、临时存储程序代码或作为帧缓冲器使用。虽然现代设备更多采用 SDRAM 或更先进的内存技术,但 W9812G2KB-6I TR 在特定应用场景中仍然具有实用价值。

应用

该芯片广泛应用于需要中等容量快速存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块以及旧式计算机外设。例如,它可作为图像处理设备的帧缓存、工业设备的临时数据存储单元,或是在通信设备中用于数据中转存储。此外,由于其具备较高的稳定性和宽温工作能力,W9812G2KB-6I TR 在自动化控制和数据采集系统中也得到了应用。

替代型号

W9812G2KB-6, W9864G2JH-6I TR, CY7C1041B-10ZSXC, IS61LV25616-10B4I

W9812G2KB-6I TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

W9812G2KB-6I TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥32.19380卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织4M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间5 ns
  • 电压 - 供电3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)