STD2N50T4参数：
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：2A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.5Ω（在Vgs=10V条件下）
　　栅极电荷（Qg）：约22nC
　　封装：TO-220
　　FQD3N61C参数：
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.8Ω（在Vgs=10V条件下）
　　栅极电荷（Qg）：约28nC
　　封装：TO-220

STD2N50T4的特性：
　　1. 高压耐受能力：500V的漏源电压使该器件适用于中高功率的电源转换器和电机控制电路。
　　2. 低导通电阻：2.5Ω的Rds(on)减少了导通损耗，提高了效率。
　　3. 适合高频率应用：低Qg值支持较高的开关频率，有助于减小磁性元件的尺寸。
　　4. 过热保护：内置热保护功能以防止器件因过热而损坏。
　　5. 稳定性高：在各种工作条件下都能保持稳定的性能。
　　FQD3N61C的特性：
　　1. 更高的电压耐受能力：650V的漏源电压适用于高压电源系统和工业控制应用。
　　2. 低导通电阻：1.8Ω的Rds(on)降低了导通损耗，提高了整体效率。
　　3. 高电流能力：3A的连续漏极电流支持更大功率的负载。
　　4. 快速开关：支持快速开关操作，适合高频电源转换应用。
　　5. 可靠性强：安森美半导体的制造工艺确保了该器件在恶劣环境下的稳定性。

STD2N50T4的应用：
　　1. 开关电源（SMPS）：由于其高电压耐受能力和低导通电阻，适用于电源适配器、充电器等设备。
　　2. 电机控制：用于控制直流电机的速度和方向，常见于工业自动化和电动工具中。
　　3. 照明系统：如LED驱动器和电子镇流器等。
　　4. 家用电器：例如洗衣机、冰箱等家电中的电源管理模块。
　　FQD3N61C的应用：
　　1. 工业电源：用于工业电源设备中的高功率开关元件。
　　2. 逆变器：适用于太阳能逆变器和UPS系统中的直流-交流转换。
　　3. 电动车辆：用于电动车的电池管理系统和功率控制电路。
　　4. 电源模块：作为高效率电源模块的核心开关器件。

STD2N50T4的替代型号：STP2N50K3 FQD2N50
　　FQD3N61C的替代型号：FQP3N61C FDH3N61C