类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：-100mA
　　最大漏极-源极电压（VDS）：-30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：约3Ω（在VGS = -10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

2SJ246TL具有多个显著的特性，使其在多种电子应用中表现优异。首先，该器件的P沟道结构使其能够在低电压条件下高效工作，适用于电池供电设备和低功耗系统。其次，其较高的最大漏极-源极电压（VDS）允许其在较高电压环境中运行，提供良好的电压耐受能力。
　　此外，2SJ246TL的导通电阻相对较低，确保了在导通状态下的低功耗和高效率。这种特性使其非常适合用于电源开关和负载管理。同时，该器件的栅极-源极电压范围较宽（±20V），提供了灵活的控制能力，同时防止因过电压导致的损坏。
　　这款MOSFET的工作温度范围广泛，可在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于各种环境条件，包括工业级和汽车级应用。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于表面贴装工艺（SMT），提高了制造效率和可靠性。

2SJ246TL广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要低功耗、小尺寸和高可靠性的场合。常见的应用包括电源管理电路、电池供电设备中的开关控制、信号路由和负载切换。此外，该器件还可用于逻辑电路、电平转换器以及需要高稳定性的工业控制系统。
　　由于其良好的电气特性和稳定的性能，2SJ246TL也常用于便携式电子产品、通信模块和传感器电路中。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源管理系统、LED照明控制和电动机驱动电路。

2SJ103、2SJ162、2SJ306