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IRFU024NPBF 发布时间 时间:2025/6/12 16:05:09 查看 阅读:6

IRFU024NPBF是由英飞凌(Infineon)制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252封装,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等应用。这款MOSFET以其低导通电阻和高开关速度而著称,能够在高频应用中提供高效能表现。
  该器件的额定电压为20V,适用于低电压应用场景,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适合各种工业及消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:6mΩ
  栅极电荷:10nC
  开关时间:典型开启时间34ns,典型关闭时间19ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRFU024NPBF具有非常低的导通电阻(仅为6mΩ),这使得它在大电流应用中能够显著降低传导损耗,提升整体效率。
  其快速的开关特性确保了在高频开关电路中的优异性能,同时较低的栅极电荷减少了驱动功耗。
  此外,该器件采用DPAK(TO-252)封装,有助于提高散热性能,并且易于安装在印刷电路板上。
  由于其出色的热稳定性,即使在高温环境下,该器件也能保持稳定的电气性能。这些特点使其成为众多低电压、高效率应用的理想选择。

应用

IRFU024NPBF广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电池管理系统
  - 电机驱动和控制
  - 消费类电子产品的负载切换
  - 工业自动化设备中的功率控制
  其低导通电阻和高效率的特点使其特别适合需要频繁开关或大电流传输的应用场景。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A

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IRFU024NPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds370pF @ 25V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU024NPBF