时间：2025/9/7 18:23:12
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2SJ246是一款P沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用TO-220封装，具有高耐压和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：60V
最大栅极电压（VGSS）：±20V
最大漏极电流（ID）：20A
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（RDS(on)）：约0.1Ω
封装形式：TO-220
2SJ246具有优异的导通性能和低导通电阻，确保在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗。其高耐压特性使其能够承受较大的电压波动，提高了系统的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下长时间运行而不会出现性能下降。TO-220封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于在各种电路板上安装和使用。
这款MOSFET的栅极驱动特性较为温和，适用于常见的驱动电路设计，无需复杂的驱动电路即可实现高效开关操作。其P沟道结构使其在低边开关应用中具有较高的效率，尤其适合用于直流电机控制、电源转换器和电池管理系统等应用场景。
2SJ246广泛应用于各种电力电子设备中，包括直流-直流转换器、电机驱动电路、电池管理系统、不间断电源（UPS）、工业自动化控制系统以及各种高功率开关电路。其高可靠性和良好的性能使其成为工业和消费类电子产品中的常用元件。
2SJ245, 2SJ247, IRF9640, FQP20N06
