时间：2025/10/11 2:37:59
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2SEPC560MW是一款由Infineon Technologies（英飞凌）公司生产的高效率、高电压的SiC（碳化硅）肖特基二极管，专为高压电源转换系统设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备卓越的热性能和电气特性，适用于要求严苛的工业、可再生能源及电动汽车充电等应用领域。2SEPC560MW具有1700V的高反向重复电压，能够支持在高电压环境下稳定运行，同时其零反向恢复电荷（Qrr）和低正向导通压降（Vf）使其在高频开关条件下表现出色，显著降低开关损耗，提升系统整体能效。该器件通常封装于TO-247-3L的三端子封装中，有利于优化寄生电感并提升动态性能，适合用于PFC（功率因数校正）、DC-DC变换器、逆变器以及太阳能逆变器等拓扑结构。此外，由于碳化硅材料的宽禁带特性，2SEPC560MW能够在高温环境下工作，提高了系统的可靠性和散热设计的灵活性。
型号：2SEPC560MW
制造商：Infineon Technologies
器件类型：SiC Schottky Diode
反向重复电压（VRRM）：1700V
平均正向整流电流（IF(AV)）：60A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：880A（半正弦波，60Hz）
正向电压（VF）：典型值3.3V（在TC=25°C, IF=60A时）
反向漏电流（IR）：最大100μA（在VR=1700V, TC=25°C时）
结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +185°C
封装类型：TO-247-3L
安装方式：通孔安装
引脚数：3
热阻结至壳（RthJC）：约1.2 K/W
2SEPC560MW的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料制造的肖特基势垒二极管结构，这使得它在高压、高温和高频应用场景中表现出远优于传统硅基PIN二极管的性能。首先，该器件具备1700V的高反向耐压能力，使其适用于中高压电力电子系统，如工业电机驱动、光伏逆变器和不间断电源（UPS）等，能够有效应对瞬态过压冲击，提高系统鲁棒性。其次，作为一款肖特基二极管，2SEPC560MW没有少数载流子存储效应，因此其反向恢复电荷（Qrr）几乎为零，彻底消除了反向恢复损耗和相关的电磁干扰（EMI）问题，这对于高频开关电源尤为重要，有助于提升开关频率并减小磁性元件体积。
该器件的正向导通压降（VF）在同类高压SiC二极管中处于较低水平，在额定电流60A下典型值为3.3V，虽然略高于低压器件，但在1700V等级中已属优异，结合其无恢复损耗的特性，整体功耗显著低于传统硅器件。此外，2SEPC560MW可在高达+175°C的结温下持续工作，展现出卓越的热稳定性，减少了对复杂散热系统的需求，特别适合密闭或高温环境下的应用。其TO-247-3L封装不仅具备良好的机械强度和散热能力，还通过优化内部引线布局降低了寄生电感，提升了高频下的动态响应性能。
在可靠性方面，英飞凌对2SEPC560MW进行了严格的工艺控制和质量验证，确保其在长期运行中的稳定性。该器件符合RoHS标准，并具备高抗湿性和抗热循环能力，适用于严苛的工业和户外环境。此外，其快速响应特性和稳定的电气参数变化曲线，使其在负载突变或电网波动时仍能保持高效运行，是现代高效能电力转换系统中理想的续流或整流元件。
2SEPC560MW广泛应用于需要高效率、高可靠性和高电压操作的电力电子系统中。典型应用包括工业级功率因数校正（PFC）电路，尤其是在三相交错式或升压型PFC拓扑中，该器件可作为输出整流二极管，利用其零反向恢复特性大幅降低开关损耗，提升系统能效至98%以上。在太阳能光伏逆变器中，2SEPC560MW常用于直流侧升压电路或交流侧整流桥，其高耐压能力和高温工作性能确保了在户外恶劣环境下的长期稳定运行。
在电动汽车充电基础设施中，无论是车载充电机（OBC）还是直流快充桩，2SEPC560MW都可用于高压DC-DC变换器中的整流环节，帮助实现紧凑化设计和高效能量转换。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、工业SMPS（开关电源）、电机驱动器以及感应加热系统等需要高功率密度和高可靠性的场合。由于其出色的动态性能和热管理能力，2SEPC560MW尤其适合用于采用SiC MOSFET或IGBT作为主开关器件的硬开关或谐振拓扑结构中，作为配套的续流或钳位二极管，共同构建高性能电源系统。
IDH17G60C60XKSA1
CCS060017Y
