时间：2025/9/1 10:50:57
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HY5S5B6HLFP-H 是由Hynix（现代半导体）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，适用于需要高速内存访问的电子设备，如计算机、服务器、网络设备和工业控制系统。HY5S5B6HLFP-H以其高容量、低功耗和稳定性能著称，是许多高性能计算平台的理想内存选择。
容量：256MB
数据总线宽度：16位
封装类型：BGA
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
电源电压：2.3V至3.6V
最大访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
最大工作频率：166MHz
HY5S5B6HLFP-H 是一款基于CMOS工艺的高速DRAM芯片，具备低功耗和高可靠性的特点。其256MB的存储容量和16位的数据总线宽度使其能够提供高达400MB/s的数据传输速率，适用于需要高性能内存的嵌入式系统和工业控制应用。该芯片采用BGA封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，能够在恶劣环境下稳定运行。此外，HY5S5B6HLFP-H 支持自动刷新和自刷新模式，能够在低功耗状态下保持数据完整性，延长设备的电池寿命。该芯片还具备良好的兼容性，可与多种控制器和处理器无缝连接，简化了系统设计和集成。
HY5S5B6HLFP-H 适用于多种高性能计算和存储应用，包括嵌入式系统、工业控制设备、网络交换机和路由器、通信设备、测试与测量仪器以及消费类电子产品中的高速缓存。由于其出色的稳定性和低功耗特性，该芯片也广泛用于汽车电子和航空航天等高可靠性要求的领域。
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